64-2794-21 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 16 A 表面実装 パッケージ1212 8 ピン SiS106DN-T1-GE3
[Vishay Siliconix] SiS106DN-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 16 A, 60 V TrenchFET, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：16 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.02 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：1212
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：24 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3692
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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