64-2794-17 Nチャンネル パワーMOSFET 60 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン 1セット（3000個入） SiR188DP-T1-RE3
[Vishay Siliconix] SiR188DP-T1-RE3 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V TrenchFET, 8-Pin SO-8 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：60 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.004 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：3.6V
- 最大ゲート-ソース間電圧：±20 V
- パッケージタイプ：SO-8
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：65.7 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：1920 pF @ 30 V
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3687
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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