64-2794-13 Nチャンネル パワーMOSFET 100 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン 1セット（3000個入） SiDR392DP-T1-GE3
[Vishay Siliconix] SiDR392DP-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin SO-8 Vishay Siliconix
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：100 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.0009 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2.2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：+20 V, +6 V
- パッケージタイプ：SO-8
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：125 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：該当なし
- コード番号：178-3670
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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