64-2618-74　［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 8 A 表面実装 パッケージSO 8 ピン 1セット（4000個入）　SI4435DYTRPBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET　30　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• 　レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（4000個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：8　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：35　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：20　V
• パッケージタイプ：SO
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.5　W
• 長さ：5mm
• RoHS適合状況：未対応
• コード番号：170-2264