64-2618-72　Pチャンネル パワーMOSFET 31 A 表面実装 パッケージD-PAK 3 ピン 1セット（3000個入）　IRFR5305TRLPBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET　40　→　55　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1リール（3000個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：31　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：55　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：65　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：20　V
• パッケージタイプ：D-PAK
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：110　W
• 動作温度　Min：-55　°C
• RoHS適合状況：未対応
• コード番号：170-2262