64-2618-70 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 2.2 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 + Tab ピン IRFL4310TRPBF
[Infineon] IRFL4310TRPBF N-Channel MOSFET, 2.2 A, 100 V IRFL4310PbF, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon
特徴
- デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。
- さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：2.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：200 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3 + Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.1 W
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：未対応
- コード番号：170-2257
