64-2010-13　ショットキーバリアダイオード　40A　45V　表面実装　3-Pin　D2PAK　(TO-263)　ショットキー　630mV　VBT4045BP-E3/8W

特徴

• TMBS　-　Trench　MOSバリアショットキー整流器、30　→　80　A、Vishay　Semiconductor
• Vishay製のTrench　MOSバリアショットキー（TMBSR）整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。　TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。　動作電圧が45　Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。　特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。
• 特許取得済みのトレンチ構造　AC　/　DCスイッチモード電源とDC　/　DCコンバータの効率性が向上　高電力密度と低順方向電圧を実現
• 特長

仕様

• 入数：1個
• ダイオード構成：シングル
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• ピーク逆繰返し電圧：45V
• 実装タイプ：表面実装
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• ダイオードテクノロジー：ショットキー
• ピン数：3
• 最大順方向降下電圧：630mV
• 長さ：10.45mm
• 幅：4.83mm
• 高さ：9.14mm
• 動作温度　Min：-40　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：762-0193