64-2010-07　ショットキーバリアダイオード 20A 45V 表面実装 3-Pin D2PAK （TO-263） ショットキー 660mV 1セット（50個入）　VBT2045BP-E3/4W

特徴

• TMBS　-　Trench　MOSバリアショットキー整流器、最大20　A、Vishay　Semiconductor
• VishayのTrench　MOSバリアショットキー（TMBS）整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。　TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。　動作電圧が45　Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。　特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。
• 特長
• 特許取得済みのトレンチ構造　AC　/　DCスイッチモード電源とDC　/　DCコンバータの効率性が向上　高電力密度と低順方向電圧を実現

仕様

• 入数：1チューブ（50個入）
• ダイオード構成：シングル
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• ピーク逆繰返し電圧：45V
• 実装タイプ：表面実装
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• ダイオードテクノロジー：ショットキー
• ピン数：3
• 最大順方向降下電圧：660mV
• 長さ：10.45mm
• 幅：9.14mm
• 高さ：4.83mm
• 動作温度　Min：-40　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：145-1817