64-2008-73 ［取扱停止］Nチャンネル ロジックレベル MOSFET 6.1 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン 1袋（20個入） FDC855N
[ON Semiconductor] FDC855N N-Channel MOSFET, 6.1 A, 30 V PowerTrench, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor
特徴
- PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：6.1 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：39 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：ロジックレベルMOSFET
- 最大パワー消費：1.6 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：809-0871
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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