64-2005-88 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 2.3 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン IRFM120ATF
[ON Semiconductor] IRFM120ATF N-Channel MOSFET, 2.3 A, 100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 ON Semiconductor
特徴
- アドバンスパワーMOSFET、Fairchild Semiconductor
- アバランシェ高耐久性テクノロジー 耐久性の高いゲート酸化膜テクノロジー 低い入力静電容量 改善されたゲート電荷量
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：2.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：200 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.4 W
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：807-8717
