64-2005-23 Nチャンネル パワーMOSFET 6.6 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1袋（2個入） FDT86102LZ
[ON Semiconductor] FDT86102LZ N-Channel MOSFET, 6.6 A, 100 V PowerTrench, 3 + Tab-Pin SOT-223 ON Semiconductor
特徴
- PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（2個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：6.6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：46 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3+Tab
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.2 W
- 長さ：3.7mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：759-9194
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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