64-2005-17　Pチャンネル 小信号 MOSFET 260 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン 1袋（10個入）　BSP92PH6327XTSA1

特徴

• Infineon　SIPMOSR　PチャンネルMOSFET
• Infineon　SIPMOS　R　小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80　Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。　SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
• ・　AEC　Q101適合（データシートを参照してください）　・　無鉛めっき、RoHS対応

仕様

• 入数：1袋（10個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：260　mA
• 最大ドレイン-ソース間電圧：250　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：20Ω
• 最大ゲートしきい値電圧：2V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOT-223
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：小信号
• 最大パワー消費：1.8　W
• 標準入力キャパシタンス　@　Vds：83　pF　@　-25　V
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：752-8237