特徴
- NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：1.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：270 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-10 V, +10 V
- パッケージタイプ：HVMDIP
- 実装タイプ：スルーホール
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.3 W
- 標準ターンオフ遅延時間：21 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：543-0484
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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