特徴
- PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1チューブ（100個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：1.1 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：500 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：HVMDIP
- 実装タイプ：スルーホール
- ピン数：4
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.3 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：178-0919
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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