64-1925-01 ［取扱停止］デュアル NPN トランジスタ 表面実装 65 V 100mA 6-Pin SOT-363 (SC-88) NST65011MW6T1G
[ON Semiconductor] ON Semi NST65011MW6T1G Dual NPN Transistor, 100 mA, 65 V, 6-Pin SOT-363
特徴
- デュアルマッチドバイポーラトランジスタ、ON Semiconductor
- ベースエミッタ電圧（V BE ）及び電流ゲイン（h FE ）にマッチするシングルパッケージのNPN又はPNPバイポーラトランジスタのペアです。
仕様
- 入数：1袋（100個入）
- トランジスタタイプ：NPN
- 最大DCコレクタ電流：100 mA
- 最大コレクタ- エミッタ間電圧：65 V
- パッケージタイプ：SOT-363 （SC-88）
- 実装タイプ：表面実装
- 最大パワー消費：380 mW
- 最小DC電流ゲイン：150
- トランジスタ構成：絶縁型
- 最大コレクタ-ベース間電圧：80 V
- 最大エミッタ-ベース間電圧：6 V
- 最大動作周波数：100 MHz
- ピン数：6
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- 最大ベース-エミッタ間飽和電圧：950 mV
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：920-9896
