64-1917-98 ［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 3 A、4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7309PBF
[Infineon] IRF7309PBF Dual N/P-Channel MOSFET, 3 A, 4 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1チューブ（95個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：3 A、4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：50 mΩ, 100 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.4 W
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：919-5009
