64-1917-73 Pチャンネル パワーMOSFET 19 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン 1セット（50個入） IRF9Z34NPBF
[Infineon] IRF9Z34NPBF P-Channel MOSFET, 19 A, 55 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1チューブ（50個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：19 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：55 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：100 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：TO-220AB
- 実装タイプ：スルーホール
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：68 W
- 寸法：10.54 x 4.69 x 8.77mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：919-4867
