64-1917-64　［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 5.3 A、6.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン　IRF7317PBF

特徴

• デュアルN　/　PチャンネルパワーMOSFET、Infineon
• InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。　さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様

• 入数：1チューブ（95個入）
• チャンネルタイプ：N,　P
• 最大連続ドレイン電流：5.3　A、6.6　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：29　mΩ,　58　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：0.7V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.7V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-12　V,　+12　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2　W
• 1チップ当たりのエレメント数：2
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：919-4832