64-1917-62 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 9.4 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン IRFR120NPBF
[Infineon] IRFR120NPBF N-Channel MOSFET, 9.4 A, 100 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1チューブ（75個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：9.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：210 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：48 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：919-4823
