64-1917-43 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 2.8 A 表面実装 パッケージSOT-223 3+Tab ピン IRLL014NPBF
[Infineon] IRLL014NPBF N-Channel MOSFET, 2.8 A, 55 V HEXFET, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 55 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1チューブ（80個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：2.8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：55 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：140 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：SOT-223
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.1 W
- 幅：3.7mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：919-4738
