特徴
- デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：20 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：22 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：PowerPAK SO
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：15.6 W
- 標準ターンオン遅延時間：12ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：919-4334
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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