64-1916-84 ［取扱停止］デュアル Pチャンネル パワーMOSFET 3.8 A 表面実装 パッケージ1206 ChipFET 8 ピン 1セット（3000個入） SI5935CDC-T1-GE3
[Vishay] SI5935CDC-T1-GE3 Dual P-Channel MOSFET, 3.8 A, 20 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay
特徴
- デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：3.8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：156 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：1206 ChipFET
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3.1 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：7 nC @ 5 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：919-4325
