64-1916-83 ［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 3.7 A、7.2 A 表面実装 パッケージPowerPAK ChipFET 8 ピン SI5517DU-T1-GE3
[Vishay] SI5517DU-T1-GE3 Dual N/P-Channel MOSFET, 3.7 A, 7.2 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET Vishay
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：3.7 A、7.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：55 mΩ, 131 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：PowerPAK ChipFET
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：8.3 W
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：919-4321
