64-1916-78 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 23 A 表面実装 パッケージPowerPAK 1212 8 ピン 1セット（3000個入） SISS27DN-T1-GE3
[Vishay] SISS27DN-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin PowerPAK 1212 Vishay
特徴
- PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：23 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：9 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：PowerPAK 1212
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：57 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：5250 pF @ -15 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：919-4299
