特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：190 mA, 300 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：3 Ω、8 Ω
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-523 （SC-89）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：250 mW
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：919-4211
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|