64-1916-33 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 21 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン SIHB22N60E-GE3
[Vishay] SIHB22N60E-GE3 N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V E Series, 3-Pin D2PAK Vishay
特徴
- NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor
- VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正（PFC）、スイッチモード電源（SMPS）などがあります。
- 特長
- 低性能指数（FOM）： RDS（on） x Qg 低入力静電容量（Ciss） 低オン抵抗（RDS（on）） 超低ゲート電荷（Qg） 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減
仕様
- 入数：1チューブ（50個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：21 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：180 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：227 W
- 長さ：10.67mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：919-0966
