特徴
- PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：4.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：8 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：35 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：960 mW
- 長さ：3.04mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：919-0269
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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