64-1899-86 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 3.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン VNS1NV04DP-E
[STMicroelectronics] VNS1NV04DP-E Dual N-Channel MOSFET, 3.5 A, 40 V OMNIFET, 8-Pin SOIC STMicroelectronics
特徴
- OMNIFET完全自動保護パワーMOSFET、STMicroelectronics
- OMNIFETシリーズ完全自動保護ローサイドドライバは、その堅牢さと向上した信頼性で評価されています。 このソリッドステートパワースイッチは、特に車載環境における誘導負荷及び抵抗負荷用に設計されています。
- リニア電流制限 サーマルシャットダウン 短絡保護 ESD保護 一体型クランプ
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：3.5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：500 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.5V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：4 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：5 nC @ 5 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：917-2797
