64-1898-15　Nチャンネル パワーMOSFET 22 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1袋（2個入）　IXFA22N65X2

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET、IXYS　HiPerFET　X2シリーズ
• IXYS　X2クラスHiPerFETパワーMOSFETシリーズは、以前の世代のパワーMOSFETと比べると、抵抗とゲート電荷量を大幅に抑えているので、損失量が低下し、操作効率が向上します。　これらの頑丈なデバイスは強化された高速真性ダイオードを実装しており、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。　X2クラスのパワーMOSFETは、120　A　@　650　Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。　代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC　/　DCモータドライブ、スイッチモード　/　共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度　/　照明制御があります。
• 超低RDS　（オン）及びQG　（ゲート電荷量）　高速真性整流器　低真性ゲート抵抗　低パッケージインダクタンス　産業用の標準パッケージ

仕様

• 入数：1袋（2個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：22　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：650　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.145　Ω
• 最大ゲートしきい値電圧：5V
• 最低ゲートしきい値電圧：2.7V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-30　V,　+30　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：390　W
• 標準ゲートチャージ　@　Vgs：37　nC　@　10　V
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：917-1451