64-1889-66 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 63 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン IRLR3110ZTRPBF
[Infineon] IRLR3110ZTRPBF N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：63 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：16 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：140 W
- 標準ターンオフ遅延時間：33 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：915-5099
