64-1889-40 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 130 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン IRFS4310TRLPBF
[Infineon] IRFS4310TRLPBF N-Channel MOSFET, 130 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（4個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：130 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：7 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：300 W
- 順方向トランスコンダクタンス：160S
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：915-5042
