64-1889-33　Nチャンネル パワーMOSFET 195 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1袋（4個入）　IRFS4115TRLPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　150　→　600　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。　レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（4個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：195　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：150　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：12.1　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：5V
• 最低ゲートしきい値電圧：3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：375　W
• 標準ターンオフ遅延時間：41　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：915-5033