64-1889-25　Nチャンネル パワーMOSFET 32 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1袋（20個入）　IRFR3411TRPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　100　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。　さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。　レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（20個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：32　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：44　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：130　W
• 標準ターンオン遅延時間：11　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：915-5014