64-1889-22 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 120 A 表面実装 パッケージPQFN 8 ピン IRFH8316TRPBF
[Infineon] IRFH8316TRPBF N-Channel MOSFET, 120 A, 30 V HEXFET, 8-Pin PQFN Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：120 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.0043 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：2.2V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：PQFN
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：59 W
- シリーズ：HEXFET
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：915-5008
