64-1889-18 ［取扱停止］デュアル Pチャンネル パワーMOSFET 2.3 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF9953TRPBF
[Infineon] IRF9953TRPBF Dual P-Channel MOSFET, 2.3 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- デュアルPチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションをご用意しており、設計者はデュアルPチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：2.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：400 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：915-4998
