64-1889-12 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 9.2 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF9393TRPBF
[Infineon]
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：9.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：32.5 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.4V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 標準ターンオン遅延時間：16 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：915-4989
