64-1889-10　［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 12 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン　IRF9388TRPBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET　30　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。　レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（20個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：12　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：11.9　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2.4V
• 最低ゲートしきい値電圧：1.3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-25　V,　+25　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.5　W
• 標準ターンオン遅延時間：19　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：915-4985