64-1889-03　［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 8.9 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン　IRF8915TRPBF

特徴

• デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon
• InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。　さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。

仕様

• 入数：1袋（20個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：8.9　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.027　Ω
• 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
• 最低ゲートしきい値電圧：1.7V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：絶縁型
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2　W
• 動作温度　Max：+150　°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：915-4973