64-1889-01 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 10 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7910TRPBF
[Infineon] IRF7910TRPBF Dual N-Channel MOSFET, 10 A, 12 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：10 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：12 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：50 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.6V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- 高さ：1.5mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：915-4967
