64-1888-97 Nチャンネル パワーMOSFET 9.3 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1袋（10個入） IRF7493TRPBF
[Infineon] IRF7493TRPBF N-Channel MOSFET, 9.3 A, 80 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：9.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：80 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：15 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：915-4960
