64-1888-92 ［取扱停止］デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7351TRPBF
[Infineon] IRF7351TRPBF Dual N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- デュアルNチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルNチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1リール（4000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：17.8 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：168-8970
