64-1888-87　［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 9.3 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1袋（16個入）　IRF630NSTRLPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　150　→　600　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。　レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（16個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：9.3　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：200　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：300　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：82　W
• 標準ゲートチャージ　@　Vgs：35　nC　@　10　V
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：915-4945