特徴
- Infineon CoolMOS CEパワーMOSFET
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：5.7 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：800 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：950 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.9V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：83 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：対象外
- コード番号：165-8015
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|