64-1878-18 Nチャンネル パワーMOSFET 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン 1セット（3000個入） IRLML2060TRPBF
[Infineon] IRLML2060TRPBF N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V HEXFET, 3-Pin SOT-23 Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：1.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：480 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.25 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：0.67 nC @ 4.5 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：913-4058
