64-1878-01 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 10.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7240PBF
[Infineon] IRF7240PBF P-Channel MOSFET, 10.5 A, 40 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1チューブ（95個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：10.5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：15 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：913-3935
