64-1877-89 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 7 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン IRF7478PBF
[Infineon] IRF7478PBF N-Channel MOSFET, 7 A, 60 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1チューブ（95個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：7 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：26 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 長さ：5mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：913-3871
