64-1872-49 ［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 13 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン IRFR5410PBF
[Infineon] IRFR5410PBF P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1チューブ（75個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：13 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：205 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：66 W
- 標準ターンオフ遅延時間：45ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：912-8699
