特徴
- Infineon CoolMOSC6 / C7パワーMOSFET
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：20.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：650 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：190 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：151 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：911-4990
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|