64-1843-08　［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 100 A 表面実装 パッケージPQFN 8 ピン　IRFH5010TRPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　100　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。　さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。　レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（8個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：100　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.009　Ω
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：PQFN
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：250　W
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：907-5195