64-1842-97　Nチャンネル パワーMOSFET 100 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1袋（8個入）　IRF1407STRLPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　60　→　80　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。　さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。　レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（8個入）
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：100　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：75　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：7　mΩ
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：200　W
• 標準入力キャパシタンス　@　Vds：5600　pF　@　25　V
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：907-5179